規劃構想

        精密工程為一跨專業領域的整合科技,結合微電子、電力電子、生醫、資訊、機械、化學與光電等不同專業理論基礎,並加以微小化 、積體化、智慧化、低成本化與高效率化等多重重大需求之技術領域。為使各類產品能朝高品質,高功能及輕薄短小之趨勢發展,使我國在下世代主要的核心製造技術(即微系統技術)中能掌握關鍵技術,此方面之人才培育乃當務之急。

   
    本實驗室整合曝光對準系統、熱蒸鍍系統、濺鍍系統、電子鎗系統、晶圓接合系統、氧化爐管、乾/濕式蝕刻系統等相關半導體製程設備,主要以半導體為基材,訓練學生具有開發微系統中之核心技術之能力,如濕蝕刻製程、晶片穿透蝕刻、晶片接合、設計模擬、懸浮薄膜製程、微小化整合、犧牲層薄膜製程、封裝與測試、雙面製程、厚膜光阻微影等,並以此些核心技術應用於光電、微系統感測器、生物晶片等相關領與之產品。

使用課程

        微系統原理、精密工程實驗、半導體製造原理與模擬、薄膜技術、微機電系統、微機電材料、微製造工程、奈米加工技術、微感測器與微制動器、半導體專題、微機電系統專題。

設備規劃

設備

規格

數量

用途

純水系統

1.含前級水處理

2.5 l/min

3.阻值:18.3MW.cm

1

清洗晶片用

濕式蝕刻用

超音波震盪器

1.可加溫

2.可計時

3.溫度顯示

1

清洗晶片用

元件製程用

 

加熱板

(Hot Plate

1.可加溫(RT-540°C)

2.1200rmp

3.溫度顯示

4.轉速顯示

1

清洗晶片用

濕式蝕刻用

 

化學清洗槽

(wet bench)

1.具去離子水管路

2.具自來水管路

3.可通N2管路

4.酸槽各水槽2

5. 溫度、酸鹼度、阻值顯示

1

清洗晶片用

濕式蝕刻用

矽非等向蝕刻槽

1.4 wafer

2.溫控範圍:~110 °C

3.化學蝕刻

4.晶片清洗

1

MEMS製程用(蝕刻圖案用)

爐管

1.4wafer5石英管

2.3 zones controller

3.RT-1500°C

4.爐架

1

wafer-bonding

熱處理用

厚氧化層製程用

旋轉塗佈機

1.4wafer
2.100-7000 rpm
3.±0.2%/2000 rpm
4.
具真空吸盤及pump
5.
具軟烤設備

1

光阻塗佈及

軟烤用

光罩對準機

1.4wafer

2.main wavelength:  365nm

3.250W light source

4.30 to 210 times zoom(with coaxial illumination)

1

圖案轉移用

濺鍍系統

1.4wafer

2.4target (×3)

3.RF power supply (×2)

4.DC power supply (×1)

5.with load lock

6.Temp.: RT-400°C

7.with cooling system

1

MEMS 製程

元件鍍膜用

感應式耦合電漿蝕刻機 (ICP)

1.4wafer

2.with load lock

3.RF power supply

(×2;13.56 MHz)

4.2.5KW/600W

5.Al electrode

6.with cooling system

1

MEMS 製程

乾式蝕刻用

離子槍鍍膜系統

(Ion-gun deposition system)

1.適用破片 (5cm×5cm)

2.晶片承座可旋轉

3.鍍膜均勻度≦5

1

材料鍍膜用

電子槍鍍膜系統

(E-gun deposition system)

1.適用4wafer

2.具旋轉式晶片盤

3.鍍膜均勻度≦5%

1

材料鍍膜用

熱蒸鍍機 (Thermal evaporator)

1.適用4wafer

2.具旋轉式晶片盤

3.鍍膜均勻度≦5%

1

材料鍍膜用

電漿輔助化學汽相沉積系統 (PECVD)

1.適用4wafer

2.沉積Si3N4, SiO2

1

介電材料

沉積用

低壓化學汽相沉積系統 (LPCVD)

1.適用4wafer

2.可沉積polysilicon, Si3N4

3.溫控範圍:~1200oC

1

介電材料 沉積用

高溫爐

1.可抽真空

2.可通N2, O2氣體

3.溫控範圍:~1000oC

1

材料退火用

厚光阻對準系統

1.具影像記憶功能

2.觀測景深約300 mm

1

深蝕刻技術、微電鑄製程訓練

厚光阻塗佈機

光阻厚度>150 mm

1

深蝕刻技術、微電鑄製程訓練

反應式離子蝕刻機(RIE)

1.load-lock功能

2.金屬及介電層蝕刻

1

蝕刻製程訓練

化學機械研磨

6晶圓,旋轉式研磨

1

平坦化製程

電漿快速沉積系統

1.具load-lock功能

2.可沉積Si3N4, SiO2, SiC

3.沉積速度>20mm

1

快速沉積厚SiO2